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SI1011X-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：SC-89-3
  • 批号：--
  • 数量：6,000 - 立即发货
  • 价格：0.560
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平栅极，1.2V 驱动

  • 漏源极电压 (Vdss)

    12V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    480mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    640 毫欧 @ 400mA， 4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    800mV @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    4nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    62pF @ 6V

  • 功率 - 最大值

    190mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-89，SOT-490

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 12V SC-89

  • 产品描述备注

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