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SIA425EDJ-T1-GE3
SIA425EDJ-T1-GE3
- 厂家:Vishay Siliconix
- 封装:PowerPAK® SC-70-6 单
- 批号:--
- 数量:3,000 - 立即发货
- 价格:1.194
- 类型:FET - 单
- PDF:

SIA425EDJ-T1-GE3
- 包装
带卷 (TR) 可替代的包装
- 系列
TrenchFET?
- FET 类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
4.5A (Tc)
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 4.2A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
-
- 功率 - 最大值
15.6W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SC-70-6
- 产品简介说明
MOSFET P-CH 20V SC-70-6
- 产品描述备注